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High Voltage
MOSFET
N-Channel , Depletion Mode
IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
V DSS = 500 V
I D25 = 20 A
R DS(on) = 0.33 Ω
Preliminary Data Sheet
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSX
V DGX
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
500
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I DM
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C; pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
20
50
400
A
A
W
TO-268 (IXTT)
T J
T JM
T stg
-55 ... + 150
150
-55 ... + 150
° C
° C
° C
G = Gate
G
S
D (TAB)
D = Drain
T L
T ISOL
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 seconds
Plastic case for 10 seconds
Mounting torque
TO-247
300
300
1.13/10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
g
S = Source
Features
TAB = Drain
TO-268
4
g
Normally ON Mode
International standard packages
Molding epoxies meet UL 94 V-0
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
flammability classification
Applications
V DSX
V GS = -10 V, I D = 250 mA
500
V
V GS(off)
I GSS
I DSX(off)
R DS(on)
I D(on)
V DS = 25 V, I D = 250 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = -10 V
V GS = 10 V, I D = 10 A
V GS = 0 V, V DS = 25 V
-1.5
T J = 25°C
T J = 125°C
Note 1
Note 1
1.5
-3.5
± 100
25
500
0.33
V
nA
μ A
μ A
Ω
A
Level shifting
Triggers
Solid State Relays
Current Regulators
Active load
? 2006 IXYS All rights reserved
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IXTT24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT24P20 功能描述:MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT26N50P 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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